CF：メモリスタ追記(CFはサイバーファンタジー)

昨晩寝た後に、メモリスタについて考えてたんですけどね
どうにも情報不足で考えが進みませんでした。

ちらっと見たM=dΦ/dq
(Mはメモリスタ容量みたいなもの[Ω]、Φは磁束[Wb]、qは電荷[C])
って式が、L=dΦ/dIみたいなLを決定する定義式つまりLと同じようにMは定数なのかなとも考えてたんですが少し記事を読んだ記憶からメモリスタはMが固定の素子ではないんじゃないかとも思ったりしたわけで
(Mは相互インダクタンスでもモータでもないよ。新しい記号が必要なんじゃないかって思うけどもう使用アルファベットいっぱいじゃね？)

そうするとΦ=μIS/(2πr)とすれば
M=AdI/dqってなりますよね。
(Iは電流[A]、rは電線からの距離[m]、Sは磁束が通る面積[m2]、μは透磁率[H/m]、πは円周率、Aはごちゃ混ぜにした定数)

電荷qと電流Iの関係が
I=dq/dtだから書き直すと
M=AdI/dt/I
なんじゃこの式。
簡易に解釈してみると、電流が電流が同じだけ時間変化しても電流そのものが小さければ抵抗値は大きくなり、電流そのものが大きければ抵抗は小さくなるわけね。
とするとこの素子に一定の割合で増加する電圧をかけてもIの増加に伴ってMがどんどん小さくなっていくから電流は電圧に比例以上の割合で増えていくわけですか。
で、このMの値はこれまでの受動素子の回路定数にはなかったマイナスの値も持ちえるってことですよね。
回路定数が変数でその上マイナス･･･
抵抗がマイナス･･･あるにはあるようですけど実感しにくいなぁ･･･。

・＋の電流を＋していく場合→M＞０→より電流を＋する効果
・＋の電流を－していく場合→M＜０→より電流を－する効果？
・－の電流を＋していく場合→M＜０→より電流を＋する効果？
・－の電流を－していく場合→M＞０→より電流を－する効果

ってことは変化を維持する方向にMが変化するわけね
これまで自然界は変化を妨げる方向に動いていたはずなのに･･･なぜ

「逆方向に電流を流すとだんだんと抵抗が増える」･･･？？
あれ？そうでしたっけ？
逆方向状態と順方向状態の特性は基本的に変わらないんじゃないですか･･･？

これ･･･っ電流一定を維持できれば抵抗値が限りなくゼロに近づくんですか？
それでいて電圧一定だと電流がどんどん増えていってやっぱりMはゼロに近づく･･･。ややこしいなぁ･･･。
電流飽和領域でもあるんですかねぇ。

 

記事を読んでみると確かに、マックスウェル方程式の主役は電界(電圧)と磁界と電荷と磁荷(→電流)なわけで、組み合わせからすると4つあるわけだから受動素子が3つしかないっていうのは違和感ありますよねぇそういわれれば。

でもその記事で読んだんですが、メモリスタの物性的な動作原理が上述の対応とは似ても似つかないんですよね。(苦笑)

 

でも回路部品として使ったらMは抵抗なんだから
V=MI=Mdq/dtになるわけっしょ？
そしたらM=AdI/dqってやって代入したら
V=AdI/dtになってインダクタンスと変わんなくなっちゃうよ？
あれ？
何か間違ってるのかなぁ。

 

つかこのメモリスタの抵抗値、測ろうとして電流を流したとたん値が変化するんじゃん！
マクロ量子の観測問題なのもしかして！？
まあ今のところメモリスタはミクロサイズで小さいらしいけど

この部品って定数はないの？
あるなら抵抗値ってアプローチで測るんじゃないのかな

メモリスタ＝メモリ＋レジスタ
であって
＝メモリ＋トランジスタ
ではないのでご注意
resistor＋registerでresgisteorでいいんじゃないのとか。
それはない


つづく？